Ultraljudssprutningsteknik för solcellbeläggningar

Ultrasonic sprutningsteknik används för fotovoltaisk kristallint kisel (C-SI) och tunna filmapplikationer. Jämfört med kemisk ångavsättning (CVD), sputtering, spinnbeläggning, rullbeläggning och dimbeläggningstekniker kan ultraljudssprutningsteknik vara en mer kostnadseffektiv metod för att avsätta tunnfilmbeläggningar på solceller. På grund av den höga enhetligheten hos atomiserade droppar och deras låga hastighet under beläggningsprocessen kan mycket enhetliga mikrometer tjocka skikt bildas på c-Si och tunnfilms solceller. Den ytterligare fördelen med att minska avfall eller översprut kan också spara material betydligt.

Ultraljudssprutningsteknik används för följande kemikalier:

Dopingmedel, absorbenter, buffertmedel, organiska föreningar osv.

Borsyra dopande
Kadmiumklorid (CDTE) absorberande medel
Kadmiumsulfid (CDS) - Buffertlager för cigs och CDTE -batterier
Kopparindium galliumselenid (cigs eller cis) absorberande
Copper Zink Tenn Sulfide (CZTS) Absorbent
Färgsensibiliserade organiska solceller (DSC, DSSC eller DYSC)
P3ht
Pedot
Pcbm
Fosfatbaserade dopanter i emitterbildning

Kvantprickar (QD)

Ultraljudssprutning har framgångsrikt använts för att spraya olika kvantprickar. ZnO -tunna filmer och CDS -kvantprickar har framställts genom ultraljudspraypyrolys deponeringsteknologi, och kostnaden är endast en liten del av CVD och sputteringsmetoder.

Transparent ledande oxid (TCO)

Tindioxid (SNO2)
Indium tennoxid (ITO)
Zinkoxid (ZnO) som nanotrådar i DSC -applikationer
Kolananorör (CNT)
Silver Nanowires (AGNW)
Grafen

Anti Reflective (AR) beläggning

kiseldioxid
titan